引 言
有机发光二极管(organic light emitting diode ，OLED)具有自发光、视角广、发光效率高、色域广、面板薄等特性，成为继液晶之后最具发展前景的显示技术。其发光原理是在外电场作用下，将电子和空穴分别从阴极和阳极注入到器件中形成激子，激子在发光层复合产生发光。OLED 器件的阳极材料要求具有高的功函数和良好的透光度，以利于光从器件中出射。通常采用In2O3∶ SnO2(ITO)。然而在商用中，为了将OLED和控制电路n 型TFT 更好的集成在一起，有时需要制作反转底发光器件，即以靠近基片一侧为阴极，阳极留到最后制备。这种情况下ITO由于制备方式为磁控溅射，会破坏已有有机层，需要选用其他材料做阳极，如Au，Pt，Ni等。针对有Au/Al 半透明双金属层的OLED 器件的光谱窄化现象，分析其可能的成因并通过实验加以证明。
1 实验部分
器件选用小分子材料AlQ 为发光层，TPD 为空穴传输层，材料的化学结构图如图1所示器件制备于ITO 导电玻璃基片上，基片均经过严格的清洗：
(1)用脱脂棉和洗涤剂擦洗掉基片表面的油污和杂质，并用去离子水冲洗，视情况可重复多次，以清水从表面流过无停顿点为合格;
(2)将基片依次浸入丙酮、无水乙醇和去离子水中用超声波清洗仪清洗10 ～ 15 min ，去掉表面残留的难溶有机物;
(3)在超净间里用高压氮气将基片表面吹干;
(4)在通风橱里紫外灯下，通入氧气8 ～10 min，利用形成的臭氧填补ITO表面氧空位，提高阳极功函数。制备了如下对比器件，考察阳极一侧的半透明Au/Al层对器件的影响：器件J ：ITO/Al(16 nm)/Au(10 nm)/TPD(30 nm)/AlQ(30 nm)/LiF(0.5 nm)/Al ;器件K：ITO/TPD(30 nm)/AlQ(30 nm)/LiF(0.5 nm)/Al 。器件结构如图2。
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